真空紫外光直接光化学汽相沉积SiO2界面特性的研究+ (1996年)

通过MOS结构C-V特性曲线和C-V特性滞后曲线，对不同淀积条件下的SiO2-Si界面特性进行了研究，并与热氧化法和PECVD法生长的SiO2膜界面进行了比较。结果表明：在不同工艺条件下，其界面电荷密度有所不同，与热氧化生长膜的界面电荷密度相近，比PECVD膜的界面电荷南度稍低，且其界面基本上呈现负电荷中心。根据俄歇电子能谱的结果，对其界面负电荷的形成作了定性的解释。直接光-CVD，MOD结构，界面电荷密度，滞后电压