没有合适的资源?快使用搜索试试~ 我知道了~
First principle study of the influence of vacancy defects on opt...
0 下载量 106 浏览量
2021-02-03
15:46:14
上传
评论
收藏 865KB PDF 举报
温馨提示
试读
5页
We employ plane-wave with ultrasoft pseudopotential method to calculate and compare the total density of states and partial density of states of bulk-phase GaN, Ga0:9375N, and GaN0:9375 systems based on the first-principle density-functional theory (DFT). For Ga and N vacancies, the electronic structures of their neighbor and next-neighbor atoms change partially. The Ga0:9375N system has n-type semiconductor conductive properties, whereas the GaN0:9375 system has p-type semiconductor conductive
资源推荐
资源评论
资源评论
weixin_38750003
- 粉丝: 7
- 资源: 927
上传资源 快速赚钱
- 我的内容管理 展开
- 我的资源 快来上传第一个资源
- 我的收益 登录查看自己的收益
- 我的积分 登录查看自己的积分
- 我的C币 登录后查看C币余额
- 我的收藏
- 我的下载
- 下载帮助
安全验证
文档复制为VIP权益,开通VIP直接复制
信息提交成功