取向铁电薄膜的取向度对薄膜的性能有着决定性的影响，而取向度则受到基片特性、溶液先驱体化学、热处理工艺等多个工艺影响因素的共同作用。在取向铁电薄膜的制备过程中，对这些影响因素的研究非常重要，因为它直接关系到薄膜的铁电性能及其在电子器件中的应用效果。
基片特性对铁电薄膜的取向度影响显著。基片的晶体结构、取向以及表面状态都可能影响薄膜的成核和生长过程，进而影响取向度。例如，有研究表明，在某些基片上能够得到高取向的铁电薄膜，而在其他基片上则不能。基片与薄膜之间的晶格匹配程度是影响取向的关键因素，例如，当薄膜与基片的晶格失配率较小，就容易形成高取向的薄膜。此外，一些研究者发现，在不同的热处理气氛下，相同薄膜在相同基片上可以得到不同取向度的结晶。这说明了热处理气氛对铁电薄膜取向度也有一定的影响。
溶液先驱体化学是指制备铁电薄膜所使用的原材料溶液，其成分、浓度、稳定性等因素都会对薄膜质量产生影响。例如，溶液中所含的金属有机盐或金属氧化物等先驱体的种类和浓度，会直接影响到薄膜的化学计量比以及后续的成核过程。溶液的化学性质和均匀程度也会对薄膜的取向度造成影响。对溶液先驱体进行调整，比如使用不同浓度的溶液沉积出籽层，也可以提高薄膜的结晶度和取向度。
热处理工艺包括热处理的温度、时间、升温速率、冷却方式等参数，它们决定了薄膜内部晶粒的生长速度和最终晶体的取向。热处理温度的高低会直接影响晶粒的生长和薄膜的致密程度。通常，适当的热处理可以改善薄膜的结晶质量，使薄膜获得更好的取向度。而不同的热处理气氛，如氧气气氛或是其他气氛，对薄膜的结晶过程和取向度有不同的影响。此外，热处理过程中气氛成分的变化也会影响薄膜的化学稳定性和电学特性。
这些工艺因素在铁电薄膜制备中的研究进展表明，通过优化上述工艺条件，可以有效提高铁电薄膜的取向度，从而提升薄膜的铁电性能，使其更好地满足在高性能随机存取记忆芯片、红外检测设备、微电子、热电、压电、光波导设备等应用场合中的需求。
综合来看，为了制备具有优良铁电性能的取向铁电薄膜，研究者需要深入理解基片特性、溶液先驱体化学、热处理工艺等工艺影响因素对薄膜取向度的影响机制，并通过实验探索和优化这些工艺参数。随着研究的不断深入，未来有望进一步提高取向铁电薄膜的质量，拓展其在高性能电子器件中的应用前景。
