硅片亲水处理前要进行化学清洗，亲水处理必须满足三个基本提条件：（1）亲水处理溶液具有氧化作用，使硅片表面生成本征氧化层形成羟基。（2）亲水处理溶液对硅片表面最好没有腐蚀作用。（3）亲水处理溶液对硅片表面去污能力强。硅片键合常用的氧化性亲水处理溶液有H2SO4/H2O2、NH4OH/H2O2，HNO3/H2O2以及HF/H2O2 等。对于H2 SO4 、NH4OH、HNO3而言，它们不仅能除去硅片表面沾污的金属原子（如Cu、Fe）、灰尘，有机物等，同时还都能使硅表面形成SiOx过渡层，从而获得预键合必需的Si-OH结构，反应式分别如下。 对于H2 SO4/H2O2: Cu + 2H2 SO4 →
