GaAs上生长的高稳定性和线性调谐波长可调谐振腔增强型光电探测器

制作了在GaAs上生长的波长可调谐振腔增强型光电探测器。 通过分子束外延生长有源区中的In0.25Ga0.75As / GaAs的量子阱。 零偏压时响应光谱的峰值位于1071 nm。 当调谐电压从0 V上升到21 V时，峰值显示出23 nm的蓝移，达到1048 nm。 统计结果表明，调谐电压和响应峰值之间存在稳定的精确对应关系。 当调谐电压大于5 V时，该关系近似线性。对测试结果进行一些理论分析。