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掺金HgCdTe探测器在高温运转
掺金HgCdTe探测器在高温运转
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TEA CO2脉冲激光辐照光导型HgCdTe探测器研究 (2011年)
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在恒压偏置条件下,采用脉冲横向激励大气压CO2激光器对响应波长为8~12μs的PC型红外HgCdTe探测器进行辐照,分析了不同能量密度激光辐照下探测器的输出波形和干扰区时间长度.实验结果表明:探测器输出信号与激光能量...
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异质结构HgCdTe双色红外探测器短波长光响应的改进
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集成的HgCdTe双色红外探测器阵列被制造出来,并测量了它们的光谱光响应。 顶部中波红外平面光电二极管通过选择性B +注入进行处理,底部短波红外PN同质结光电二极管在MBE生长期间通过铟杂质掺杂原位形成。 通过台面...
HgCdTe探测器激光辐照响应机理研究进展 (2015年)
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以光导型和光伏型 HgCdTe 光电探测器为研究对象,分别用连续波激光和脉冲激光开展了辐照效应实验研究。使用平衡能量流体动力学模型数值模拟了光电探测器对辐照激光的响应过程,数值模拟结果与实验结果符合较好。报道了...
1.319 μm连续波激光辐照PV型HgCdTe探测器的实验研究
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用连续波1.319 μm激光辐照PV型HgCdTe红外探测器,得到了不同辐照功率密度下,探测器的响应输出随激光功率密度变化的一系列实验结果,观察到了器件对光的线性、饱和响应以外的一些新现象,如混沌、零压输出,并对实验结果...
基于HgCdTe红外探测器的微弱信号检测电路设计 (2011年)
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基于高信噪比、高灵敏度、温漂小和杭干扰能力强的电路设计原理,采用滤波电源供电,使用高速低噪声高精度的运算放大器,通过合理的电路布局和元器件选择来设计红外信号检测电路。在大气环境和室内气室的实验条件下,红外...
PV型HgCdTe线阵探测器对强光反常响应机制研究
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采用多种波段内激光辐照带有电容反馈互导放大器(CTIA)读出电路的PV型线阵HgCdTe探测器,实验均发现,当激光功率密度增强到约10-2 W/cm2时,未辐照像素也存在响应,且其基底信号出现以前未曾发现的反常响应,即随...
不同烘烤温度下HgCdTe光伏探测器的R-V特性研究
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针对室温工作的短波碲镉汞(HgCdTe)红外探测器开展了真空烘烤实验研究。实验样品分为四组, 对应的烘烤温度分别为60 ℃, 70 ℃, 80 ℃和90 ℃。在实验前后测试了器件的R-V特性曲线, 并进行了R-V特性的理论拟合分析。...
红外探测行业深度研究报告:探测器技术获突破
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目前,第三代制冷型红外光电 探测器的材料主要包含 HgCdTe、量子阱光探测(QWIPs)、II 类超晶格(II-SLs)与量子点光探测(QDIPs) 四种。 碲镉汞(Hg1-xCdxTe)属于带隙可调半导体材料,通过调节 Cd 组分变化,...
光导型HgCdTe光电探测器对双波段组合激光辐照动态响应的数值模拟
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以及器件温升对载流子寿命、浓度、迁移率和光吸收系数等材料参数的影响,通过求解粒子数平衡方程和热传导方程的联立方程组,研究了PC型HgCdTe光电探测器在波段内和波段外双光束组合激光辐照下的动态响应过程。...
HgCdTe短波红外焦平面探测器校正技术
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红外材料与器千 HgCdTe红外探测器信号抑漂与一致性研究 (2014年)
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对三级半导体制冷HgCdTe红外探测器信号输出不一致性和信号漂移产生原因进行深入分析与研究,并说明使其输出一致与信号稳定的必要性,着重论证了调整偏置电流对探测器输出的影响,并采用校零技术,信号合成与还原技术...
ORCAD在HgCdTe红外探测器放大电路低噪声设计中的应用 (2009年)
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量子阱红外探测器(QWIP)调研报告.doc
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其中半导体量子阱焦平面 探测器, 在五年内接近走完了碲镉汞(MCT)探测器30年的历程, 现在虽然在探测度指标上还不如MCT, 但经过进一步的攀登, 这种完全靠科学家、计算机的, 由MBE或MOCND技术制造的新一代焦平面...
高速室温HgCdTe CO
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虽然液氮需要使用真空杜瓦瓶密封,从而增加了装置的尺寸、造价和辅助设备,但这种冷却对探测器来说是必不可少的,因为在室温时,探测器在10.6 μm的灵敏度下降到零。这是由于室温下普通HgCdTe器件的吸收减少、载流子...
光导型光电探测器瞬变行为的仿真
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