显示/光电技术中的双极工艺光电二极管

图1中给出了一种基于标准双极工艺的N+-p型光电二极管[36]，其中的N+区是由N+埋层以及插入的N+集电极注入形成，P区则是直接利用轻掺杂的P型衬底。图中N＋区与P＋区的间距为5 gm，N＋区的面积被定义为光电探测器的面积。 　　图1  双极工艺N+-P型光电二极管 　　这种结构能够高效地进行光电转换，在外加偏压为双极电路工作电压（4.2 V）时的量子效率η=30%°但是由于受前面叙述的耗尽区外光生载流子缓慢扩散的影响，其响应速度较慢。该探测器与一跨阻抗为1.8 kΩ的双极型前置放大器单片集成，当探测器面积为100×100μm2，入射光波长/1＝850 nm时，可以测得开眼图比特率达