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图1中介绍了一种在轻掺杂的P型衬底(Na=6x1012cm-3)上采用1pm NM0S工艺制作的横向PIN光电二极管[59~60]。 图1 NMOS集成横向PIN光电二极管 由于PIN结构是直接制作在高电阻率的衬底上,因而I层的厚度可以和51材料中870 nm光注入的吸收深度(20 gm)相比拟。因而该PIN探测器的量子效率较高,在未增加抗反射涂层,5 V反向偏压条件下,可测得670 nm波长下响应度为0.32 A/W,870 nm波长下的响应度为6.45 A/W,换算成外部量子效率可达到67%。而且由于衬底的轻掺杂,它的反向击穿电压可以超过60V,意味着获得厚度更大的I层
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