研究了极化的P（VDF-TrFE）铁电聚合物门控对AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（MOS-HEMT）的影响。 通过施加电场，AlGaN / GaN MOS-HEMT的源极/漏极访问区中的P（VDF-TrFE）门被正极化（即，部分带正电的氢与AlGaN表面对准），从而导致降低AlGaN / GaN界面处的导带。 这增加了AlGaN / GaN异质结构的源极/漏极访问区域中的二维电子气（2-DEG）密度，从而减小了源极/漏极串联电阻。 还使用原子力显微镜（AFM），X射线衍射（XRD）和铁电磁滞回线测量对P（VDF-TrFE）铁电膜进行了详细的材料表征。
