2N3904RLRPG的技术参数

产品型号:2N3904RLRPG类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值(dB):300最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):250封装/温度(℃):TO92/-55~150价格/1片(套):￥.25   2N3904RLRPG是一款常用的晶体管，属于NPN型半导体器件，广泛应用于电子电路设计中，尤其在小信号放大、开关电路及驱动器等应用中常见。其技术参数是衡量其性能和使用范围的重要依据。下面将详细解释这些参数的含义及其在实际应用中的作用。 1. **类型：NPN集电极-发射极** - 这意味着2N3904RLRPG是一个三极管，其中电流从发射极流向集电极，并由基极控制。NPN结构意味着在基区与发射区之间是P型半导体，而在基区与集电极之间是N型半导体。 2. **最小雪崩电压Vceo(V)：40V** - 雪崩电压是指在集电极-发射极之间施加的电压，超过这个值，晶体管会发生雪崩击穿。40V的Vceo意味着在正常工作条件下，2N3904RLRPG能承受的最大反向电压为40V，防止内部损坏。 3. **集电极最大电流Ic(max)(mA)：200mA** - 这是集电极可安全通过的最大直流电流。超过这个值，晶体管可能会过热并损坏。因此，在设计电路时必须确保不超过这个电流限制。 4. **直流电流增益hFE最小值(dB)：100** - hFE是衡量晶体管放大能力的参数，表示基极电流对集电极电流的控制程度。最低100dB的hFE意味着对于每增加1毫安的基极电流，集电极电流至少增加100倍。 5. **直流电流增益hFE最大值(dB)：300** - 这是hFE的最大可能值，表明在某些条件下，晶体管可以提供更高的电流放大。不过，实际应用中hFE会受到温度、电压和负载条件的影响。 6. **最小电流增益带宽乘积Ft(MHz)：250MHz** - Ft是晶体管高频性能的指标，表示在保持一定电流增益时，晶体管可以工作的最高频率。250MHz的Ft意味着2N3904RLRPG适合处理中等频率的信号，但不适用于极高频的应用。 7. **封装/温度(℃)：TO92/-55~150** - TO92是一种常见的塑料封装形式，适合大多数消费级电子产品。工作温度范围为-55℃到150℃，这意味着晶体管能在这一范围内正常工作，超出此范围可能会导致性能下降或损坏。 8. **价格/1片(套)：￥.25** - 这是单个2N3904RLRPG的价格，表明这款晶体管在成本上相对较低，易于大量采购和使用。 总结起来，2N3904RLRPG是一款性价比高、性能稳定的NPN型晶体管，适用于需要小信号放大、开关功能或者低至中频放大电路的设计。理解这些技术参数有助于正确地选择和使用该器件，以确保电路的可靠性和效率。在实际应用中，还需要考虑其他因素，如温度影响、热管理以及电路的具体需求，来合理地利用这款晶体管的特性。