电子-STM32L15x11Flash和EEPROM.pdf

STM32L15x系列微控制器是STMicroelectronics（意法半导体）生产的低功耗高性能的ARM Cortex-M3处理器，拥有丰富的外设和存储选项，包括内置的Flash和EEPROM。以下是基于提供的文件内容，关于STM32L15x系列微控制器中Flash和EEPROM的详细知识点。 STM32L15x系列微控制器的存储区具有以下特性： - 内置高达128K字节的Flash存储器，支持ECC（Error Correction Code，错误校正码）功能，用于检测和纠正存储器中的单比特错误。 - 内置高达4K字节的数据EEPROM，也支持ECC校验，确保数据的稳定性和可靠性。 - Flash擦除次数达到10K次，意味着它可以承受频繁的程序更新和修改。 - 存储区包括主Flash、数据EEPROM和信息块（Bootloader代码）。 - 访问时间分为三个等级（Range1, Range2, Range3），分别为62.5ns、125ns和500ns，以适应不同的读写速度需求。 - 字（32位）或半页（128字节）的编程时间为3.2ms（典型值），页擦除时间为3.2ms（典型值），整片擦除时间为9.6ms（典型值）。 STM32L15x的Flash接口（FLITF）具有以下特性： - 支持预取指缓冲的读操作，以提高读取速度。 - 提供OptionBytes的装载，用于在生产过程中的配置和保护。 - 多种保护机制，包括两种级别的读保护（Level1和Level2，通过JTAG Fuse配置）和写保护。 在存储区架构方面： - Flash和数据EEPROM被划分为多个扇区（Sector），以简化擦除和写入操作。 - 每个扇区具体地址及大小如下： - 主Flash位于0x***到0x0801FFFF地址范围内。 - 数据EEPROM位于0x***到0x08080FFF地址范围内。 - 信息块位于0x1FF00000到0x1FF8000F地址范围内，其中包含了Bootloader代码和用户配置的OptionByte。 在操作方面，包括Flash的写操作和读操作： - 在芯片复位之后，Flash区、数据EEPROM区和信息块区都处于SRAM执行保护状态，需要解锁操作才能进行写/擦除操作。 - 写操作支持不同粒度的数据编程，包括快速写入字（32位）和半页（128字节），以及擦除操作。 - 读操作支持32位和64位的读取，以及预取指缓存器（Prefetch Buffer）和读延迟（Latency）的使用，以降低功耗或提高运行性能。 此外，关于中断和标志位： - STM32L15x提供了编程结束（包括擦除和写入）、编程出错、写保护错误、地址对齐错误、OptionByte写入校验错误、数据长度错误等中断事件和标志位。 - 中断使能控制位（例如EOPIE和ERRIE）允许开发者在发生编程错误或结束时配置中断。 系统存储区包含： - 4K字节的系统存储区，内置Bootloader代码，可通过USART1或USART2更新固件。 - 16字节的SIF区，保存用户设置的OptionByte，允许配置BOR（Brown-out Reset）级别、软件/硬件独立看门狗（IWDG）、是否以复位代替进入STANDBY模式或STOP模式。 以上就是STM32L15x系列微控制器中Flash和EEPROM存储器的相关知识点，包括存储区特性、架构、操作、中断和标志位以及系统存储区的信息。这些知识点对于进行STM32L15x系列微控制器的开发和编程至关重要。