光源是最佳的选择,随之而来的是近年来高亮度 LED
在照明领域的应用持续而迅速的扩大。LED 制造中激光晶圆划片工艺的引入,使
得 LED 在手机、电视以及触摸屏等 LCD 背光照明大量使用,而最令人兴奋地是白
光 LED 在照明方面的应用。
激光划片 LED 的划片线条比传统的机械划片窄得多,所以使得材料利用率显
著提高,因此提高产出效率。另外激光加工是非接触式工艺,划片导致晶圆微裂纹
以及其他损伤更小,这就使得晶圆颗粒之间更紧密,产出效率高、产能高,同时成
品 LED 器件的可靠性也大大提高。
LED 激光划片的特点
单晶蓝宝石(Sapphire)与氮化镓(GaN)属于硬脆性材料(抗拉强度接近钢铁),因
此很难被切割分成单体的 LED 器件。采用传统的机械锯片切割这些材料时容易带
来晶圆崩边、微裂纹、分层等损伤,所以采用锯片切割 LED 晶圆,单体之间必须
保留较宽的宽度才能避免切割开裂将伤及 LED 器件,这样就很大程度上降低了
LED 晶圆的产出效率。
激光加工是非接触式加工,作为传统机械锯片切割的替代工艺,激光划片切口
非常小,聚焦后的激光微细光斑作用在晶圆表面,迅速气化材料,在 LED 有源区
之间制造非常细小的切口,从而能够在有限面积的晶圆上切割出更多 LED 单体。
激光划片对砷化镓(GaAs)以及其他脆性化合物半导体晶圆材料尤为擅长。激光加
工 LED 晶圆,典型的划片深度为衬底厚度的 1/3 到 1/2,这样分割就能够得到干净
的断裂面,制造窄而深的激光划片裂缝同时要保证高速的划片速度,这就要求激光
器具备窄脉宽、高光束质量、高峰值功率、高重复频率等优良品质。
并不是所有的激光均适合 LED 划片,原因在于晶圆材料对于可见光波长激光
的透射性。GaN 对于波长小于 365nm 的光是透射的,而蓝宝石晶圆对于波长大于
177nm 的激光是半透射的,因此波长为 355nm 和 266nm 的三、四倍频的调 Q 全
固态激光器(DPSSL)是 LED 晶圆激光划片的最佳选择。尽管准分子激光器也可以
实现 LED 划片所需的波长,但是倍频的全固态调 Q 激光器体积更小,比准分子激
光器所需的维护更少,而且在质量方面,全固激光器划片线条非常窄,更适合于激
光 LED 划片。
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