锐骏半导体RU1HE3D是一款N沟道增强型MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），属于锐骏半导体的产品线。该器件主要应用于开关电源领域，具有以下特点和参数：
1. 极限参数
- VDSS（漏源电压）：100V
- VGSS（栅源电压）：±20V
- TJ（最大结温）：150°C
- TSTG（存储温度范围）：-55至150°C
- IS（二极管连续正向电流）：3A（在环境温度25°C，安装在大型散热器上时）
- IDP（300微秒脉冲漏极电流）：12A（在环境温度25°C时）
- ID（连续漏极电流）：3A（VGS=10V，环境温度25°C），2.5A（VGS=10V，环境温度70°C）
- PD（最大功率耗散）：2.5W（环境温度25°C），1.6W（环境温度70°C）
- RθJA（热阻-结到环境）：50°C/W
2. 电气特性
- BVDSS（漏源击穿电压）：100V（VGS=0V，IDS=250µA时）
- IDSS（零栅压漏极电流）：1µA（VDS=100V，VGS=0V，环境温度25°C时）
- VGS(th)（栅阈值电压）：1.5至2.7V（VDS=VGS，IDS=250µA时）
- IGSS（栅漏电流）：±10µA（VGS=±16V，VDS=0V时）
- RDS(ON)（漏源导通电阻）：130至180mΩ（不同工作条件下的典型值）
3. 二极管特性
- VSD（二极管正向电压）：1.2V（ISD=2.5A，VGS=0V时）
- trr（反向恢复时间）：43ns（ISD=2.5A，dlSD/dt=100A/µs时）
- Qrr（反向恢复电荷）：78nC
4. 动态特性
- RG（栅电阻）：0.6Ω（VGS=0V，VDS=0V，频率为1MHz时）
- Ciss（输入电容）：930pF（VGS=0V，VDS=30V，频率为1MHz时）
- Coss（输出电容）：85pF
- Crss（反向传输电容）：45pF
- td(ON)（开启延迟时间）：在特定的测试条件下，从开启开始到电流达到一定值的时间
这些特性使得RU1HE3D适合应用于电源管理，特别是在需要高速开关和高效率的场合，例如DC/DC转换器、负载开关等。RU1HE3D的超低导通电阻能够降低器件的功耗，提高系统的整体效率。此外，该MOSFET还具备ESD（静电放电）保护功能，确保在静电干扰环境下设备的稳定运行。
RU1HE3D的封装形式为SOT-223，便于在电路板上进行表面贴装。该MOSFET通过了100%雪崩测试，能够承受由于过电流情况所引起的电压浪涌，增加了器件的可靠性。此外，该器件符合RoHS标准，为无铅和环保产品，可被广泛应用于各种绿色电子产品中。
在设计使用RU1HE3D时，需要注意其热管理。由于器件在高电流工作时会产生热量，必须保证散热良好，以免超过其最大结温和功率耗散的限制。RU1HE3D的热阻值（RθJA）给出了从结点到环境的热阻，是选择散热器和设计布局时的重要参考值。此外，该MOSFET在不同条件下具有不同的电流限制，例如连续电流和脉冲电流，设计时应根据实际工作情况选择合适的电流等级。
锐骏半导体RU1HE3D以其出色的性能和可靠性，在开关电源等要求高性能MOSFET的领域具有广泛的应用前景。
