采用二次合成法制备不同Zr含量(x=0．46～0．52)的0．125Pb(Mg1／3Nb2／3)O3-0．875PbZrxTi1-xO3(0．125PMN-0．875PZT)三元压电陶瓷。采用X线衍射仪(XRD)、阻抗分析仪等对陶瓷进行表征和性能测试，考察了Zr含量变化对陶瓷烧结相结构、体积密度、介电和压电性能的影响。结果表明：采用二次合成法，制备了纯钙钛矿相结构的陶瓷；当x=0．48～0．50时，0．125PMN～0．875PZT陶瓷处于四方-三方准同型相界(MPB)，在x=0．49时制备的0．125P
