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我们介绍了在不同能级下e + e- ation灭中成对的Bc介子产生的理论分析,并考虑了全部次于领先的QCD校正。 考虑了两种可能的电弱通道:通过虚拟光子和通过虚拟Z玻色子生产。 我们详细研究了辐射QCD校正的作用,发现该校正在低能量下尤其重要。 结果表明,Z玻色子的贡献在高能(s> MZ / 2)时尤为明显,特别是在伪标量和矢量(Bc +Bc⁎)介子成对产生的情况下。 还分析了由P侵犯与Z玻色子的弱相互作用引起的方位角不对称性。
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weixin_38739919
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