产品型号:MBT35200MT1类型:PNP集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):35集电极最大电流Ic(max)(mA):2000直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值(dB):400最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100封装/温度(℃):TSOP-6/55~150价格/1片(套):￥2.80
MBT35200MT1是一款PNP型晶体管，广泛应用于电子设备中的开关、放大和驱动等电路。这款器件的关键技术参数是衡量其性能和应用范围的基础，以下将详细解析这些参数：
1. **类型：PNP集电极-发射集** - 这表明MBT35200MT1是一种PNP型三极管，其中P型半导体材料构成集电极和基极，N型半导体材料构成发射极。在PNP三极管中，电流由发射极流向集电极，而基极控制着这个电流。
2. **最小雪崩电压Vceo** - 雪崩电压是指当晶体管工作在极限条件时，集电极-发射极之间能够承受的最大反向电压，而不引起内部击穿。MBT35200MT1的Vceo最小值为35V，这意味着在设计电路时，集电极与发射极之间的电压不应超过这个值，以防止器件损坏。
3. **集电极最大电流Ic(max)** - 这是晶体管可以安全处理的最大集电极电流，对于MBT35200MT1，这个值为2000mA。超过这个值可能会导致过热或永久性损坏。
4. **直流电流增益hFE** - hFE是衡量三极管放大能力的参数，它表示基极电流变化与集电极电流变化的比值。MBT35200MT1的hFE最小值为100，最大值为400，这意味着在不同工作条件下，该晶体管的电流放大倍数在这个范围内变化。
5. **最小电流增益带宽乘积Ft** - Ft表示电流增益与频率的乘积，是衡量晶体管高频性能的关键指标。对于MBT35200MT1，Ft最小值为100MHz，表明它适合在中高频电路中使用，但可能不适合极高频的应用。
6. **封装/温度** - 这款晶体管采用TSOP-6封装，即薄小型 Outline封装，有6个引脚。工作温度范围为55到150摄氏度，这表明MBT35200MT1能在较宽的温度环境下稳定工作。
7. **价格** - 单片MBT35200MT1的价格为2.80元，这对于预算敏感的项目来说，是一个经济实惠的选择。
了解这些参数后，设计者可以根据实际需求选择MBT35200MT1，比如在需要中等电流放大、中高频响应和良好热稳定性的电路中。同时，设计时必须确保工作条件不超过上述技术参数限制，以保证器件的可靠性和寿命。
