在已有的绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor，IGBT)机理模型的基础上将IGBT分为金属氧化层半导体场效晶体管(metal oxide semiconductor field effec ttransistor，MOSFET)和双极结型晶体管(bipolar junction transistor，BJT)2部分，分别对其进行建模，同时给出了模型参数的提取方法。模型在Matlab 中实现。以 FZ600R65KF1型IGBT为例给出了模型参数值，并完成了
