当出现致命缺陷的时候，观察和审查缺陷是很困难的，即便是采用扫描电子显微镜(SEM)也是如此。目前，《国际半导体技术蓝图》(ITRS)2001年的最新资料表明，不论在垂直还是在水平面上，所需要的缺陷隔离的复杂性正在按指数增长，这一点引起了人们的极大关注。某些电路的失效并没有留下像多条纹或金属空洞之类可以察觉得到的物理痕迹。产业界迫切需要检测和诊断电学缺陷的方法。 《蓝图》也着重强调了关于铜互联和双镶嵌结构的重要成品率问题（如下表所示）。工业上需要一种检测铜导线中的空洞的方法。也需要用于测量具有高纵横比结构的CD的方法，并希望提供关于沟道、通路、触点及其侧墙截面的CD信息。在镶嵌沟道的底部或底部
