恩智浦半导体与台积电于国际电子器件会议发表七项半导体创新技术

由飞利浦创建的独立半导体公司恩智浦半导体 (NXP Semiconductors)与台湾积体电路制造股份有限公司于美国华盛顿特区(Washington D.C.)举行的国际电子器件会议(International Electron Devices Meeting，IEDM)上共同发表七篇技术文章，报告双方通过恩智浦-台积电研究中心(NXP-TSMC Research Center)合作开发的半导体技术及制程方面的创新。 　　在会议中，恩智浦 –台积电研究中心发表了创新的嵌入式存储技术，这与传统的非易失性存储器相较，速度最多可以快上1,000倍，同时也具备小尺寸及低功耗等优势，预估其功耗较目前 在国际电子器件会议(IEDM)上，恩智浦半导体(NXP Semiconductors)与台积电(TSMC)联合发布的七项半导体创新技术，展现了两家公司在半导体行业的深度合作和前沿研发成果。这些技术创新主要涵盖了嵌入式存储、晶体管优化、低功耗工艺、近距无线通信安全以及新型谐振器等领域。 恩智浦-台积电研究中心发布的创新嵌入式存储技术是一项重要的突破。与传统的非易失性存储器相比，这种新技术的速度提高了1000倍，同时实现了更小的尺寸和更低的功耗。预计其功率消耗将比现有的存储器减少至少10%，并且制造成本也能降低5%至10%。这在近距无线通信(NFC)应用中尤为关键，因为它可以增强数据传输的安全性，防止干扰，并确保移动支付等敏感信息的安全。 一项关于替换传统石英谐振器的技术创新，使得更小、更薄的定时器能够在芯片内部集成，特别是在智能卡和移动电话SIM卡上。这不仅节省了空间，还增强了智能卡的加密保护，提升了设备的整体安全性。 在晶体管技术方面，研究人员展示了新一代晶体管的性能提升及其广泛应用的可能性。这些新晶体管可能包括FinFET（鳍式场效应晶体管）等结构，具有优化的栅极堆栈，旨在提供更高的频率性能和能效。 另外，恩智浦与台积电还展示了针对便携式设备的低功耗CMOS工艺的简化方法，通过调整PMOS金属栅极以适应NMOS，同时利用DyO覆盖层来实现功耗的调优。此外，他们还演示了采用掺杂Hf基氧化物、TaC基金属和激光仅退火工艺的低阈值电压CMOS，以实现高性能全CMOS流程。 在电路设计上，他们提出了一种创新方法，通过电路基础优化，有效地降低了80%的功耗，这对于延长电池寿命和提高设备运行效率具有重要意义。而在嵌入式存储器领域，他们研究了热电Thomson效应对相变存储单元编程条件和单元优化的影响，以实现更快、更节能且可扩展的存储解决方案。 谐振器技术的突破涉及1.1 GHz基本模式压阻式硅微谐振器，这将为高频应用提供更小巧、高效的选择。 这些创新技术表明恩智浦和台积电在推动半导体行业的进步上发挥了关键作用，他们的研究成果有可能重塑未来的电子设备，提升性能、降低能耗，并增强安全性。这些技术的应用将广泛影响到移动通信、物联网、智能卡安全以及各类嵌入式系统等领域，为全球电子产业的发展注入新的活力。