K2MnSnTe4的溶剂热合成和反射光谱研究 (2003年)

采用溶剂热法，以n(K2Te4)：n(MnCl2・4H2O)：n(SnTe)=1：1：1的摩尔比、乙二胺作溶剂，在160℃下反应6d，生成黑色块状晶体KaMnSnTe4。其结构由具有扩展的网状共价骨架的Zintl负离子[(MnSnSe4)2-]。和K+正离子堆积而成。漫反射光谱研究表明该晶体具有1．75 eV能隙(Eg)，属于半导体，对太阳能具有选择吸收的特性。