典型分解炉中硅烷分解沉积速率的研究 (2012年)

研究在典型硅烷分解炉中硅烷分解沉积多晶硅的沉积速率。硅烷分解沉积多晶硅实验在硅棒表面温度790～900℃、炉内气压5×104 Pa条件下,探讨硅棒温度、硅烷流速与沉积速率的关系。结果显示:沉积反应活化能53 .4kJ/ mol。并与真空条件下沉积硅的过程进行对比,提出在典型硅烷分解炉中提高多晶硅沉积速率的可能途径。