全息近藤模型中电阻率的对数上升

我们使用最近开发的[1-4]全息大N技术研究单通道近藤效应。 为了获得该模型的电阻率，我们引入了一个探测场。 通过在局部三维AdS3主体中嵌入局部二维Anti-de Sitter（AdS2）分子，构建1 + 1维主体物质中局部铁离子杂质的重力对偶。 这有助于我们构建杂质电荷密度，该杂质电荷密度是探针规场的整体运动方程的来源。 电荷密度的函数形式是通过求解仅限于AdS2-磁畴的运动方程来独立获得的。 探测场的渐近解由杂质电荷密度决定，这又会影响电流-电流相关函数，从而影响电阻率。 我们的参数选择将近边界杂质电流调整为微不足道，导致紫外线电阻率出现logT行为，这是近藤问题的预期。 IR固定点的电阻率结果为零，表明已完全屏蔽了杂质。