采用玻璃／氢化非晶硅(a-Si: H) /44P结构,在低温(≤350℃)-F,应用铝诱导晶化法(AIC) ,成了纳米硅(nc-Si)。利用X射线衍射(XRD)光谱、拉曼(Raman)光谱和紫外可见近红外光谱(jJv-Vis-NIR),研究了退火升温时间对a-Si : H薄膜的结构及其光学特性的影响。结果表明,随着退火升温时间的增加,a-Si : H膜的晶化率Xc 增加而硅晶粒尺寸基本不变,光吸收系数a增加。这主要是由于铝和氢化非晶硅膜之间的氧化层很薄以及退火升温导致Al-Si之间的互扩散增强,使硅的成核
