NTMFS4833NT1G的技术参数

产品型号:NTMFS4833NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):2最大漏极电流Id(on)(A):191通道极性:N封装/温度(℃):SO-8FL/-55~150描述:30V,191A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无   NTMFS4833NT1G是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其技术参数对于理解和应用这款器件至关重要。以下将详细解析这款MOSFET的关键特性： 1. **源漏极间雪崩电压 (VBR)**：NTMFS4833NT1G的源漏极间雪崩电压为30V。这意味着在设计电路时，不应使器件承受超过这个电压的反向偏压，以防止发生雪崩击穿，导致器件损坏。雪崩电压是MOSFET的一个安全阈值，保证了器件在正常工作条件下的稳定性。 2. **最大导通电阻 (rDS(on))**：这款MOSFET的最大导通电阻为2毫欧，这是一个非常低的数值，意味着当MOSFET完全开启时，其内部电阻很小，因此能提供非常低的导通损耗，适合用在需要高效率转换和大电流传输的场合。 3. **最大漏极电流 (Id(on))**：NTMFS4833NT1G的最大漏极电流达到191A。这表明该器件可以处理极大的电流负载，使其非常适合于大功率应用，如电机驱动、电源转换系统或高功率LED照明等。 4. **通道极性**：作为N沟道MOSFET，NTMFS4833NT1G的栅极连接至源极的电压需为负值，以关闭漏极至源极的电流路径。反之，当栅极对源极的电压升高到一定程度时，会形成一个导电沟道，允许电流通过，这种操作模式使得N沟道MOSFET在低电压驱动下有良好的性能。 5. **封装/温度范围**：该器件采用SO-8FL封装，这是一种小型表面贴装封装，适用于空间有限的电路板。同时，NTMFS4833NT1G的工作温度范围为-55°C至150°C，确保了其在各种环境条件下都能稳定工作。 6. **耐压与额定电流的结合**：30V的耐压和191A的额定电流组合，使得这款MOSFET特别适合在高电压、大电流的应用场景中，如开关电源、电池管理系统和电动汽车充电系统等。 7. **应用场合**：由于其低rDS(on)和高Id(on)，NTMFS4833NT1G通常被用于电源管理、负载开关、马达驱动、DC-DC转换器以及高效率的电子设备中。 NTMFS4833NT1G是一款高性能的N沟道MOSFET，具备低阻抗、大电流处理能力和宽泛的工作温度范围，是电力电子领域中的理想选择，尤其是在需要高效能和大电流处理能力的系统中。然而，具体应用时应考虑到价格因素，以及电路设计中的其他限制和需求。