除了控制颗粒，空气中温度，湿度和烟雾的含量也需要规定与控制。温度控制对操作员的舒适性与工艺控制是很重要的。许多利用化学溶剂来做刻蚀与清洗的工艺都在没有温度控制的设备箱内完成，只依赖于洁净室温度的控制。这种控制非常重要，因为化学反应会随温度的变化而不同，例如，每升高十摄氏度，刻蚀速率参数加二。通常的室温为72华氏度，上下幅度两度。 相对湿度也是一个非常重要的工艺参数，尤其在光刻工艺中。 在这个工艺中，要在晶片表面镀上一层聚合物作为刻蚀膜版。如果湿度过大，晶圆表面太潮湿，会影响聚合物的结合，就象在潮湿的画板上绘画一样。如果湿度过低，晶圆表面就会产生静电，这些静电会从空气中吸附微粒。一般相对湿度
在IT行业中，尤其是在半导体制造和微电子领域，对环境条件的控制是至关重要的。这个领域涉及到精密的工艺流程，其中温度、湿度和烟雾污染的管理对于确保产品质量和工艺稳定性起着决定性作用。
温度控制是维持生产环境稳定性的基石。在半导体制造过程中，许多工艺步骤涉及到化学反应，这些反应的速率会随着温度的变化而显著改变。例如，刻蚀速率可能会随着温度每升高10摄氏度而增加2%，这意味着精确的温度管理能够直接影响到刻蚀精度和效率。因此，通常洁净室内的温度会保持在一个恒定范围，如72华氏度（约22摄氏度），允许有2度的波动范围，以保证工艺过程的一致性。此外，温度的适宜还关系到操作员的工作舒适度，有助于提高工作效率。
相对湿度对光刻工艺的影响不可忽视。光刻是半导体制造的关键步骤，其目的是在晶片表面形成精细的图案，以指导后续的刻蚀和沉积。高湿度可能导致晶片表面过于湿润，影响到聚合物膜的形成，这就像在湿画布上画画，颜料无法正常附着。另一方面，过低的湿度则可能使晶片表面产生静电，静电会吸引空气中的微粒，对晶片的清洁度造成威胁。通常情况下，洁净室内相对湿度应维持在15%到50%之间，以平衡这两种风险。
烟雾污染是洁净室空气质量的另一大挑战。特别是在光刻工艺中，烟雾中的成分，如臭氧，可能干扰曝光过程，导致图案形成出现问题。为了解决这个问题，通常会在通风系统中安装碳素过滤器来吸附和去除烟雾，特别是臭氧，以保护光刻过程的准确性。
温度、湿度和烟雾污染的管理是IT行业中半导体制造环节不可或缺的部分。精确控制这些因素可以保证工艺的精确性，减少废品率，同时保障工作人员的健康与安全，从而提升整个生产流程的效率和产品质量。在高度竞争的半导体市场中，这些细节的管理往往是区分优秀制造商和普通制造商的关键。
