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三洋发布最新TFT栅极驱动芯片TND32x系列
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2020-12-07
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三洋半导体(SANYO)发布了安装面积减至一半以下的栅极交换驱动ICTND32x系列。采取自主封装,外形尺寸为2.8mm×2.9mm×0.75mm,8端子VEC内封装有2个通道,作为2通道产品,实现了最小、最薄设计。调整了内置元件的工艺和芯片排列,与此前的8端子TSSOP产品相比,安装面积减小约58%,厚度减小25%。 电源电压范围为4.5~25V,电源电压为18V时,可输出+0.8A/-1.0A的电流。电源电压为18V、输入容量为1,000pF时,响应时间为30ns。输入电压方面,高压为2.6V,低压为0.8V。用于满足影像设备和照明器材的高耐压、高输出电流、高速交换需求。与功率MOSF
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三洋发布最新三洋发布最新TFT栅极驱动芯片栅极驱动芯片TND32x系列系列
三洋半导体(SANYO)发布了安装面积减至一半以下的栅极交换驱动ICTND32x系列。采取自主封装,外形尺寸为
2.8mm×2.9mm×0.75mm,8端子VEC内封装有2个通道,作为2通道产品,实现了最小、最薄设计。调整了内置
元件的工艺和芯片排列,与此前的8端子TSSOP产品相比,安装面积减小约58%,厚度减小25%。 电源电
压范围为4.5~25V,电源电压为18V时,可输出+0.8A/-1.0A的电流。电源电压为18V、输入容量为1,000pF时,
响应时间为30ns。输入电压方面,高压为2.6V,低压为0.8V。用于满足影像设备和照明器材的高耐压、高输出
电流、高速交换需求。与功率MOSF
三洋半导体(SANYO)发布了安装面积减至一半以下的栅极交换驱动ICTND32x系列。采取自主封装,外形尺寸为
2.8mm×2.9mm×0.75mm,8端子VEC内封装有2个通道,作为2通道产品,实现了最小、最薄设计。调整了内置元件的工艺和
芯片排列,与此前的8端子TSSOP产品相比,安装面积减小约58%,厚度减小25%。
电源电压范围为4.5~25V,电源电压为18V时,可输出+0.8A/-1.0A的电流。电源电压为18V、输入容量为1,000pF时,响
应时间为30ns。输入电压方面,高压为2.6V,低压为0.8V。用于满足影像设备和照明器材的高耐压、高输出电流、高速交换
需求。与功率MOSFET和IGBT等配合作为控制用微处理器的接口使用。主要用于液晶电视的背照灯和照明用逆变器的驱动以
及等离子电视的等离子放电等用途。
通过将复数个离散电路封装在一个芯片中,使该产品具有削减零部件数量、节约成本、提高效率、减小体积与厚度等优
点,成为功率半导体与高频产品群“ExPD(ExcellentPerformancePower&RFDevices)”系列中的一个产品。根据用途,备有逆
变器×2通道、缓冲器×2通道以及逆变器与缓冲器×各1通道的3种款式。计划2007年7月开始样品供货。样品价格为150日元。
生产规模为计划07年底月产100万个。
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