基于GaAs HBT工艺的动态分频器的研究与设计

针对静态分频器工作频率越高功耗越大的问题，本文采用GaAs HBT工艺研究设计了高性能动态分频器。通过对动态分频器结构进行研究，采用有源负载代替传统的电阻负载，提高了分频器工作的频率。同时对动态分频器进行电路设计，并对其进行仿真，得出其分频范围为9~15 GHz，具有良好的输入灵活度，功耗仅为130.26mW，满足设计要求。