寄生BJT与DIBL：SOI NMOS器件的浮体相关亚阈值特性

本文报告了阈值考虑以下因素的SOI NMOS器件的特性漂浮的身体效果。 经实验验证通道长度按比例缩小时测量的数据1μm至120nm，因此亚阈值斜率更陡薄膜中寄生BJT的优势。 为了通道长度进一步缩小到60nm， 由于支配地位，亚阈值行为不那么陡峭MOS通道区域中的DIBL效应和薄膜中的寄生BJT收缩，如薄膜中的2D空穴浓度轮廓和导带横向分布通道区域。