采用溶胶-凝胶法(sol-gel)制备了Eu3+掺杂SiO2基质发光材料，分别用荧光(PL)光谱、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)等分析手段对样品进行了表征，研究了退火温度以及掺杂浓度对发射光谱的影响，并对其发光机制进行了分析。薄膜样品在258 nm光激发下,在620 nm，667 nm处出现了比较少见的双峰红光发射,而620 nm处的光发射最强，说明Eu3+离子处在对称性较低的配位环境中。退火处理温度对样品的发射光谱影响很大,经900 ℃退火处理的样品发射强度最强。随着掺杂浓度的变化,改变了Eu3+ -O2-间的距离,在相同紫外光激发下O2-外层的电子迁移到Eu3+ 4f轨道上的能量变化，使得谱线位置出现了移动。
