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GaAs/SiO

GaAs

光谱性质

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0 下载量 140 浏览量 2021-02-11 08:14:54 上传评论收藏 1.01MB PDF 举报

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采用射频磁控共溅射与高真空退火相结合的方法, 分别在单晶硅片和光学石英玻璃片上制备了GaAs/SiO

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Lasing characteristics of Yb-doped gadolinium yttrium mixed oxyorthosilicate Yb:(Gd0.1Y0.9)(2)SiO5

被动调Q锁模激光特性是通过使用400微米厚的GaAs晶片作为可饱和吸收体实现的，研究得到了最小脉冲持续时间为60.2纳秒，重复频率为47.6千赫兹，对应的最高脉冲能量和峰值功率分别为5.3微焦耳和88瓦特。被动调Q锁模技术...

半导体激光器腔面增透膜AlN薄膜的制备.pdf

传统的SiO和Al2O3增透膜存在热导率低、易导致腔面氧化的问题。AlN的热导率是这两种材料的几十倍，因此被选为替代材料。作者们通过Matlab软件对不同腔面反射率对激光器输出功率的影响进行了模拟分析，找出了前后腔...

半导体激光器像散的实验研究

本篇文献的标题为《半导体激光器像散的实验研究》，实验研究的对象是被质子轰击的条形GaAs/GaAlAs双异质结半导体激光器（DHLD），目的在于探究其像散特性。像散现象是指激光束在空间分布中，沿某一方向的发散情况，...

半导体激光器端面镀膜厚度的有效监控 (1989年)

行波式半导体激光放大器在未来光通讯系统中是极为重要的[1]。...我们通过检测被镀半导体激光器自身辐射变化,直接监控膜层的厚度,用SiO作膜料,在GaAs激光二极管的一个端面上得到了剩余反射率为5 × 10-4的减反射膜．

薄膜材料与薄膜技术复习题.docx

- **SiO₂薄膜:** SiCl₄ + O₂ → SiO₂ + Cl₂,使用APCVD或LPCVD装置。 - **Si₃N₄薄膜:** SiCl₄ + NH₃ → Si₃N₄ + HCl,使用APCVD或LPCVD装置。 - **GaAs薄膜:** Ga(CH₃)₃ + AsH₃ → GaAs + CH₄,使用...

湖南省娄底市娄星区2017_2018学年高一化学下学期期中试题20180511127

7. 元素性质比较：原子半径、热稳定性、酸性和碱性强弱的排列，均符合元素周期律，如原子半径从大到小为Na>Mg>Al，热稳定性从强到弱为HCl>PH3>H2S，酸性从弱到强为H2SiO3，碱性从强到弱为KOH>NaOH>LiOH。 8. 化学键...

九年级化学中考专题复习教案.docx

4. **元素化合价**：是元素在化合物中显示出的氧化态，例如Na2SiO3中硅(Si)元素的化合价为+4。 5. **原子个数比与元素质量比**：化学式中的系数代表了分子中各元素原子的个数比，这可以用来计算元素间的质量比。...

黑龙江省青冈县一中2017_2018学年高一化学下学期月考试题A卷201805290254

11. 特殊性能材料：半导体材料砷化镓(GaAs)不含主族和副族元素，硒化锌(ZnSe)中硒(Se)为主族元素，镧镍合金(LaNi5)为金属间化合物，K3C60中C为主族元素，但不含副族元素。因此，由主族和副族元素组成的化合物是...

高二化学选修三《原子结构与性质》练习题[精选].doc

例如，砷化镓（GaAs）是主族元素（III族）与主族元素（V族）形成的化合物，而硒化锌（ZnSe）是主族元素（II族）与主族元素（VI族）形成的化合物。题目中的C选项镧镍合金（LaNi）是由镧（镧系元素，副族）和镍（过渡...

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基于Qt 5实现串口调试助手，程序仅供参考，修改了之前十六进制接收0xA0--0xFF有误的问题，新增了窗口自适应（ui文件设置栅格），文件详情可看博客链接https://blog.csdn.net/m0_51294753/article/details/121405661。

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现在汽车行业用vector的工具进行自动测试，但是该自动测试模板很少，本案例是分享CAPL脚本自动化测试的模板，和自动控制测试步骤的XML模板，使用过程可以通过本人分享的文档来实现工程的建立到自动测试的完成。通过CAPL脚本+XML控制测试步骤，实现自动测试，生成测试报告。

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