通过金属辅助化学蚀刻和离子注入形成的掺杂硫的黑硅

我们通过金属辅助化学蚀刻（MCE）和离子注入Craft.io制造了掺杂硫的黑硅。 通过扫描电子显微镜（SEM）分析了硅纳米线（SiNW）阵列的形貌和黑硅中硫的浓度。 与未掺杂的SiNW阵列和扁平硅相比，硫掺杂的黑硅在整个0.3-2.5μm波长范围内均显示出更高的吸收率。 还显示了不同蚀刻时间和退火温度下黑硅吸收光谱的变化。 退火后，在2-2.5μm波长范围内吸收显着降低。 新的结果清楚地表明，硫注入可以在硅衬底中产生低于带隙的吸收。