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化学蚀刻过程3D动画效果
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论文研究 - CdZnTe核探测器化学蚀刻和化学机械抛光的研究
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XPS结果表明,与化学机械抛光相比,化学蚀刻过程导致在探测器表面形成更多的TeO2。 检测器的电阻率约为1010Ω-cm。 化学机械抛光工艺比化学蚀刻工艺增加了更多的泄漏电流。 对于新近处理过的表面,与化学机械抛光...
GaSb半导体材料表面的化学蚀刻研究进展.pdf
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蚀刻工艺YES蚀刻过程分为两类:
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为了在基板上形成功能性的MEMS结构,...通常,蚀刻过程分为两类: 浸入化学溶液后材料溶解的湿法蚀刻 干蚀刻,其中使用反应性离子或气相蚀刻剂溅射或溶解材料 在下文中,我们将简要讨论最流行的湿法和干法蚀刻技术。
GaN的晶体湿化学蚀刻
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摘要:目前大多数 III 族氮化物的加工都是通过干式等离子体蚀刻完成的。 干式蚀刻有几个缺点,包括产生离子诱导损伤,并且难以获得激光所需的光滑蚀刻侧壁。典型的均方根 ~rms!通过干法蚀刻产生的侧壁的粗糙度约为 ...
电子功用-挠性印刷电路绝缘薄膜的化学蚀刻法及其蚀刻液
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微流控芯片模具化学蚀刻制造工艺研究.pdf
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用激光促进化学蚀刻
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捷克科技人员用激光促进n型砷化镓和磷化铟的...他们用He-Ne激光,功率密度为1~10 W/cm2,波长632.8 nm,在一种氧化溶液里完成化学蚀刻。他们还研究了蚀刻速率根据激光功率密度、曝光时间、蚀刻溶液的成份而变化的情况。
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二维几何模型介绍层流状态下的湿法化学蚀刻仿真模拟
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研究蚀刻过程中完全裸露的铜的腔体中的浓度分布、速度分布和形状变化。可以发现,铜基底的变形几何结构取决于局部流体速度和蚀刻液物质的通量。模型预测层流状态下铜基底是如何被蚀刻的,并跟踪二维腔体在湿法蚀刻...
宽禁带半导体的湿法化学蚀刻.en.zh-CN
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