三极管的结构和分类三极管的结构和分类
图所示为三极管的几种常见外形,其共同特征就是具有三个电极,这就是“三极管”简称的来历。
三极管的结构和分类三极管的结构和分类
图所示为三极管的几种常见外形图所示为三极管的几种常见外形
,其共同特征就是具有三个电极,这就是“三极管”简称的来历。
通俗来讲,三极管内部为由P型半导体和N型半导体组成的三层结构,根据分层次序分为NPN型和PNP型两大类。
三极管的结构和符号图三极管的结构和符号图
其中,图a、b所示为NPN型三极管的内部结构,图c为NPN(一般为硅管)和PNP (一般为锗管)三极管的符号。
上述三层结构即为三极管的三个区, 中间比较薄的一层为基区,另外两层同为N型或P型,其中尺寸相对较小、多数载流子浓度
相对较高的一层为发射区,另一层则为集电区。三极管的这种内部结构特点,是三极管能够起放大作用的内部条件。
三个区各自引出三个电极,分别为基极(b) 、发射极(e)和集电极(c)。
如图b所示,三层结构可以形成两个PN结,分别称为发射结和集电结。三极管符号中的箭头方向就是表示发射结的方向。
三极管内部结构中有两个具有单向导电性的PN结,因此当然可以用作开关元件,但同时三极管还是一个放大元件,正是它的
出现促使了电子技术的飞跃发展。
三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用
图图所示为验证三极管电流放大作用的实验电路,这种电路接法称为共射电路。其中,直流电压源Vcc应大于Vbb,从而使电路
满足放大的外部条件:发射结正向偏置,集电极反向偏置。改变可调电阻Rb,基极电流IB,集电极电流Ic 和发射极电流IE都
会发生变化,由测量结果可以得出以下结论:
(1) IE= IB+ IC( 符合克希荷夫电流定理)
(2) IC≈ IB×β ( β称为电流放大系数,可表征三极管的电流放大能力)
(3)△ IC≈ △ IB×β
由上可见,三极管是一种具有电流放大作用的模拟器件。
三极管的放大原理三极管的放大原理
以下用NPN三极管为例说明其内部载流子运动规律和电流放大
三极管内部载流子运动与外部电流三极管内部载流子运动与外部电流
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1、发射区向基区扩散电子:由于发射结处于正向偏置,发射区的多数载流子(自由电子)不断扩散到基区,并不断从电源补
充进电子,形成发射极电流IE。
2、电子在基区扩散和复合:由于基区很薄,其多数载流子(空穴)浓度很低,所以从发射极扩散过来的电子只有很少部分可
以和基区空穴复合,形成比较小的基极电流IB,而剩下的绝大部分电子都能扩散到集电结边缘。
3、集电区收集从发射区扩散过来的电子:由于集电结反向偏置,可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电
区,从而形成较大的集电极电流IC。
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