缺陷QED：无电介质的电介质，无单极的单极

我们研究了一类缺陷量子场论，其中3 + 1维本体中的量子场理论是自由光子和带电物质，光子与电荷的相互作用完全发生在2 + 1维缺陷上。 我们观察到，在全量子水平上，这种理论的有效作用仍然是缺陷场理论，其中自由光子在主体中传播，并且对限于缺陷的麦克斯韦方程进行量子校正的非线性。 我们使用该观察结果来表明缺陷场理论具有有趣的电磁特性。 静电测试电荷产生的电磁场会衰减，就像周围的大部分填充有介电材料一样。 当观察者和测试电荷位于缺陷的相对两侧时，这尤其有趣。 然后，该效果是各向同性的，并且即使在缺陷附近的区域中也可以起作用。 如果缺陷处于违反时间反转的状态，则图像电荷会出现带电和带磁性的双子。 我们以量子霍尔状态给出一个单层的例子。 我们观察到，在电荷中性石墨烯中，电荷屏蔽作用应该很显着，并且在该层处于带有可移动电子的金属态时甚至更显着。