一步化学气相沉积对衬底角度对MoS2垂直纳米片生长的影响

垂直排列的MoS2纳米片的生产由于其在各种研究领域中的潜在应用而引起了极大的兴趣。 然而，迄今为止所使用的这种垂直纳米片的生产方法，特别是通过化学气相沉积（CVD）途径，已经涉及到复杂或多重生长的处理步骤。 为了应对这一严峻挑战，在这项工作中，我们报告了通过CVD在单个生长步骤中生长的高质量垂直排列的MoS2纳米片，同时降低了生长Craft.io步骤的复杂性。 首次，我们还研究了生长过程中衬底角度（从0度到90度）对生长的MoS2垂直纳米片的表面形态，结构和拉曼光谱特性的影响。 结果表明，可以在90度的基板角度下获得具有堆积密度的高质量垂直排列的纳米片。 诸如XRD，HR-TEM和SAED图案的特征确认了垂直方向，而SEM图像则显示了MoS2垂直纳米片的出色的表面形态和堆积密度。 此外，拉曼光谱研究进一步证明了高质量纳米片的垂直性，而XPS数据证实了所生长的材料是MoS2。 在这种垂直取向的MoS 2纳米片的本制造方法的背景下讨论了该工作的相关性，并且还提出了它们的应用领域。