用LSS理论,计算了注入能量为180keV,注入剂量为1×1013~5×1015ion/cm2的N+/As+组合离子注入Si的杂质浓度分布,由X射线衍射的运动学理论,利用多层模型和试探应变函数拟合X射线衍射曲线,得到了晶格应变随注入深度的分布,并将二者进行了比较。结果表明N+/As+组合离子注入单晶Si的应变分布曲线为单峰,位于杂质浓度分布曲线的双峰之间,靠近重离子峰。
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