采用Cl2/Ar作为刻蚀气体，研究了在感应耦合等离子体干法刻蚀GaN、Al0.27Ga0.73N材料中工艺参数对刻蚀速率及选择比的影响。GaN与Al0.27Ga0.73N之间的刻蚀选择比随自偏压的增大而减小，随感应耦合等离子体功率的增大变化不大。在Cl2/Ar为3:1的刻蚀气体中加入10%的O2对GaN刻蚀速率影响不大，却使Al0.27Ga0.73N刻蚀速率明显下降，从而提高了GaN与Al0.27Ga0.73N之间的刻蚀选择比。对比了采用不同自偏压刻蚀的Al0.27Ga0.73N材料肖特基的特性，发现反向
