银纳米线表面等离子体激元导光的研究

搭建采用光纤锥近场激发银纳米线表面等离子体激元的光路，并在氧化铟锡(ITO)衬底上实现银纳米线表面等离子体激元突破衍射极限在亚波长领域的光波导。通过R 轴旋转平移台，改变光纤锥与银纳米线平行方向上的角度，研究在ITO 衬底上银纳米线表面等离子体激元在不同激发角度下的耦合效率。实验上获得不同角度下银纳米线光波导的电荷耦合元件(CCD)数码信息图，并采用Adobe Photoshop灰度直方图的方法，在100 pixel×100 pixel质量下计算入射光强以及出射光强，进而计算银纳米线的耦合效率。结果表明，在不同的激发角度下，银纳米线在ITO 衬底上的耦合效率与激发角度相关，两者平行时耦合效率最高，垂直时耦合效率最低。