新型相变随机存储器单元仿真系统 (2009年)

为研究相变随机存储器（PCRAM）的结构、读写电路及材料等对存储单元读写性能的影响，基于Matlab和Hspice软件，集成读写电路仿真和PCRAM存储元物理仿真，研制了PCRAM存储单元仿真系统。该系统能产生宽度和幅度分别在4～150ns和0.25～3.00V之间可调的脉冲，适用于对多种结构存储元进行仿真。边缘接触式结构存储单元仿真结果表明：研制的系统能对存储单元的读、写性能进行评估，并为电路和存储元设计提供数据。