到目前为止的实验，如果只从响应特性上看，功率MOSFET的驱动都落在了如何使用晶体管互补推挽电路上，这里也可使用盒式的电路IC。
图1是功率MOSFET的门驱动用IC为EL7212C(图2)的例子，如果使用这样的IC，则很容易实现高速开关．输
出电路是MOSFET的推挽形式，可取出大的峰值输出电流．
图1 由专用IC组成的功率MOSFET驱动
图2 由功率MOSFET驱动EL7212C的构成
图3是使用EL7212C的电路的开关波形。可以说其具有优越的特性，扩大到250ns/div，的图形如图4所示。ch1是脉冲振荡器的输出波形，ch2是2SK1522的漏
功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种广泛应用在电力电子设备中的半导体器件，尤其在高电压、大电流的开关转换应用中。其工作性能和效率很大程度上取决于栅极驱动电路的设计。传统的栅极驱动方式通常采用晶体管互补推挽电路，然而，这种设计可能会在响应速度和电流驱动能力上有所限制。
针对这一问题，出现了专门用于驱动MOSFET栅极的集成电路（IC），如EL7212C。这类专用IC旨在提高开关速度，增强输出电流能力，从而优化MOSFET的工作性能。EL7212C是一款推挽型输出的门驱动IC，能够提供足够的峰值电流来快速开启和关闭MOSFET，从而实现高速开关操作。
图1展示了使用EL7212C构建的功率MOSFET驱动电路。这个电路设计简洁，利用IC内部的电路结构，可以高效地驱动MOSFET，减少了外部组件的需求，简化了系统设计。图2进一步详细描绘了EL7212C的内部构造，揭示了其如何实现推挽输出以及提供大电流的能力。
图3和图4提供了使用EL7212C驱动2SK1522功率MOSFET时的开关波形。从图中可以看出，驱动IC的开关性能非常优秀，导通延迟时间极短，关闭延迟时间也控制在一个合理的范围内（约750ns）。这表明，使用EL7212C可以有效地减小开关过程中的损耗，提高系统的整体效率。
脉冲振荡器的输出波形（ch1）与2SK1522的漏极波形（ch2）之间的同步性证明了驱动IC的控制精度。通过观察这些波形，我们可以评估系统的动态响应，确保在实际应用中MOSFET能够按照预期进行快速且精确的开关动作。
使用驱动功率MOSFET栅极的专用IC如EL7212C，可以显著提升功率转换系统的性能，包括开关速度、电流驱动能力和效率。它们减少了设计复杂性，同时提供了更佳的电气特性，对于高频率、高功率应用来说至关重要。在设计电力电子系统时，选择合适的门驱动IC将直接影响到整个系统的性能和可靠性。
