羰基钼化学气相沉积成膜机制及相关因素研究 (2000年)

利用金属有机气相沉积(MOCVD)方法,在经过预沉积和表面研磨处理的Al2 O3 陶瓷基片上制备多晶钼膜.通过该薄膜的表面形态及其结构的观察分析,讨论了该薄膜的形成机制.结果表明,基片的表面形态是影响薄膜生长成核机理的重要因素,基底表面的状态设计是提高成核密度,获取优质薄膜的有效方法。