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采用采用0.13微米微米CMOS工艺制造的单芯片工艺制造的单芯片UMTS W-CDMA多频段多频段
收发器收发器
本文介绍了一种适用于频分复用(FDD)网络的低功耗、多频段、全集成化单芯片UMTS W-CDMA/HSDPA直
接转换型收发器。它采用 0.13微米CMOS工艺制造而成。该设计包括三条零中频接收(RX)通道,三条直接转
换型发射(TX)通道,两个分数型频率合成器。
前言前言
随着通用移动通信系统(UMTS)网络在日本和欧洲实现商用,市场对多频段宽带码分多址(W-CDMA)
本文介绍了一种适用于频分复用(FDD)网络的低功耗、多频段、全集成化单芯片UMTS W-CDMA/HSDPA直接转换型收发
器。它采用 0.13微米CMOS工艺制造而成。该设计包括三条零中频接收(RX)通道,三条直接转换型发射(TX)通道,两个
分数型
接收器包括差分输入端口、第二低噪放大器级(2nd LNA)、两个下变频器(带CMOS Gilbert型
该收发器包括一个Butterworth型三阶模拟有源基带滤波器,以及三个直接上变频器、可变增益放大器(VGA)级(每条通道
的增益控制范围超过85dB)、高功率输出驱动级(典型输出功率为11dBm)。VGA级的自适应偏置,可确保整个输出功率范
围内功耗最低。
混频器包括全集成式压控振荡器(VCO),后者集成了片上调谐电路、自动上电校准和
所有功能均由一个基于三线制总线设计的灵活的多标准编程接口控制,这不仅实现了后向兼容,而且可支持DigRF标准所规定
的全部读/写存取操作。
该器件的工作电压范围为2.7 -3 V,工作环境温度范围为-30℃至+85℃,可配置成不同的参考振荡频率以及不同的基带接口参
数(例如 I/Q共模电压),从而实现最佳兼容性。多种节电模式可确保各类操作情景下的功耗最低。接收通道的最大功耗为通
道的最大功耗为35mA(打开陷波滤波器时为37mA),而发射器的功耗始终低于80mA。如果发射和接收功能都没有启动,一
个被称为“睡眠模式”的特殊操作模式将被激活。在这种模式下,器件的典型功耗一般为2mA。如果移动终端(UE)未被用于
无线信号收发(例如,正在使用高级移动终端都具有的个人数字助理(PDA)功能),这对于延长电池工作时间非常有用。
在睡眠操作模式下,所有的寄存器设置都保存在一个特殊的随机存取存储器(RAM)中,这样,在下次被唤醒时,集成电路
就能取回所有的设置。
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