运用阳极键合技术，对绝缘体上硅(SOI)／玻璃进行阳极键合实验，发现当埋氧层厚度超过500nm时，键合很难成功．分析了SOI埋氧层厚度对耗尽层电压降及键合静电力的影响，得出由于埋氧层的分压作用，耗尽层的压降减小，键合静电力减弱，导致键合失败．通过设计高压直流和高压脉冲两种输出方式的电源系统，提高氧负离子的迁移速率从而提高键合速度．从平板式阳极引一根探针电极到SOI器件层表面，使键合电压直接加在耗尽层上，避免埋氧层厚度对键合的影响，提高键合静电力．实验表明，通过改进的键合设备能实现不同氧化层厚度的SOI片与
