—采用集成蒙特卡洛(EMC)方法研究了InP中的碰撞电离特性。 在我们的EMC模型中,采用包含三个导带和三个价带的分析模型来描述能带结构。 通过使用Keldysh公式,电子和空穴的碰撞电离速率适合于在宽电场范围内的可用测量。 介绍并分析了InP的稳态特性。 特别地,详细讨论了亚微米级InP中的碰撞电离行为。 发现冲击电离系数不仅是所施加电场的函数,而且在尺寸减小到亚微米级时也表现出与尺寸有关的性质。 我们还发现,由死区效应和有限的尺寸引起的尺寸相关的碰撞电离效应可以帮助防止载流子碰撞电离。 最后,进一步研究了电子碰撞电离系数与空穴碰撞电离系数的比值。 通过考虑与尺寸有关的碰撞电离效应,该比例不再保持恒定,而是在特定电场下随器件尺寸的变化而变化。 随着尺寸的缩小,该比率将趋向于偏离一个单位,这可能有助于对APD器件的噪声理论进行重新审视。