在这项工作中,使用C扫描声学扫描显微镜(ASM)来绘制三个SiC样品的缺陷图。 声像表明晶片中有许多具有不同形状和面积性别歧视的缺陷。 一些缺陷的面积超过100,000μm2。 缺陷数范围为1至50个缺陷/晶圆。 缺陷映射对于修复或避免缺陷至关重要。 这项工作表明,ASM可以精确定位晶体缺陷的位置,从而可以修复缺陷并提高产量。
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