由于环氧树脂的烧蚀极限比铜（黄色）的低，清洁工序（绿色）就不能探入底层铜。光束柔和地照射，均衡了材料的厚度和一致性的公差。
通过UV开发HDI的导通孔工艺 A工艺 B工艺 C工艺 A工艺：4步工艺工序，混合了润湿和激光工序，掩膜公差在50到70im之间，一般最小的孔尺寸为100到125im. B工艺：2步激光工序，1步润湿工序，由于CO2在掩膜上的绕射，小孔的直径约为60im。对经过特殊处理的铜材料CO2可提供的铜开口厚度的极限为7im。这种工艺仍需去除钻污。 C工艺：1步激光工序，UV激光对内层和外层铜的钻孔无限制，UV还多了一个清洁工序，从而使去除钻污工序降到了最低限度，甚至可
