没有合适的资源?快使用搜索试试~ 我知道了~
英飞凌推出支持高压、高速IGBT和功率MOSFET的IRS2005
4 下载量 19 浏览量
2021-01-19
17:31:59
上传
评论
收藏 80KB PDF 举报
温馨提示
试读
1页
2015年12月11日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)进一步壮大其200 V驱动IC产品阵容,推出支持高压、高速IGBT和功率MOSFET的IRS2005(S, M)。全新驱动IC能为具有严格空间限制的电机变频器应用提供全面保护,比如电动园艺设备、高尔夫球车、电动工具及代步车等。IRS200x家族产品包括高边和低边驱动以及半桥式驱动,采用英飞凌成熟而强大的高压结隔离(HVJI)工艺,以实现小型封装,同时保持对负瞬变电压的耐受性。这种200 V器件专为低压(24 V、36 V和48 V)和中压(60 V、80 V和100 V)应用量身定制。它
资源推荐
资源评论
资源评论
weixin_38701407
- 粉丝: 5
- 资源: 918
上传资源 快速赚钱
- 我的内容管理 展开
- 我的资源 快来上传第一个资源
- 我的收益 登录查看自己的收益
- 我的积分 登录查看自己的积分
- 我的C币 登录后查看C币余额
- 我的收藏
- 我的下载
- 下载帮助
安全验证
文档复制为VIP权益,开通VIP直接复制
信息提交成功