激光溅射沉积制备的ZnO:Ga薄膜表面形貌分析

薄膜表面形貌定量研究有助于薄膜生长机理的认识。研究的薄膜是用激光脉冲沉积法(PLD)制备的ZnO:Ga(GZO)透明导电薄膜。由于GZO薄膜的生长是在远离平衡态情况下实现的，具备自仿射分形特征，可以用高度高度相关函数进行描述。通过对用原子力显微镜(AFM)获得的表面高度数据进行相关运算，定量地分析了PLD制备的GZO薄膜的生长界面特征，求出了描述粗糙表面的高度高度相关函数的三个重要参量W，ξ和α，发现制备的GZO薄膜生长符合Kuromoto-Sivashinsky生长模型。