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溅射功率对ZnO:Ga薄膜的结构和光电性能的影响
溅射功率对ZnO:Ga薄膜的结构和光电性能的影响
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溅射功率对ZnO:Ga薄膜的结构和光电性能的影响
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溅射气压对ZnO薄膜生长、发光性能和结构的影响 (2009年)
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沉积缺陷少、晶粒高度c轴择优生长的ZnO薄膜是制备短波发光器件和压电谐振传感 器的关键问题之一。以ZnO为靶材,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备纳米ZnO薄膜,实 现了室温下强的紫外受激发射和弱的深能级发射。通过对薄膜表面形貌的观测,以及对X射 线衍射( XRD)谱和室温光致发光( PL)谱的分析,研究了不同溅射气压对ZnO薄膜生长、结构和 发光性能的影响。结果显示溅射气压在1.9 Pa-3.5
溅射气压对ZnO透明导电薄膜光电性能的影响 (2009年)
浏览：46
采用射频磁控溅射方法，在普通玻璃上制备了具有高度c轴取向的ZnO薄膜，研究了溅射气压（0.2～1.5Pa）对ZnO薄膜的微观结构和光电性能的影响。AFM、XRD、UV-Vis分光光度计及四探针法研究表明：随着溅射气压的增大，ZnO薄膜沿c轴方向的结晶质量提高，晶粒细化，薄膜表面更加致密，晶粒大小更加均匀；ZnO薄膜在400～900nm范围内的平均透过率均高于85%，其中在0.5～1.5Pa范围内其
射频溅射功率密度对Ga：ZnO透明导电薄膜性能的影响 (2010年)
浏览：181
室温下利用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备了掺Ga氧化锌(Ga：ZnO)多晶透明导电薄膜．通过改变磁控溅射生长过程中的溅射功率密度和靶基距，研究了多晶薄膜的透明导电性能与生长参数的相互影响关系．研究结果表明：当溅射时间相同时，随溅射功率密度的增加和靶基距的减小， Ga：Zn0薄膜的厚度增加，从而导致了薄膜导电率升高；当溅射功率密度为5．3 w／cm2、靶基距为5 cm时，Ga：ZnO薄膜的最小电
氧氩流量比对 RF溅射 ZnO： Mg薄膜结构及光 学性能的影响
浏览：170
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功率对射频磁控溅射生长ZnO薄膜性能的影响
浏览：27
通过使用不同溅射功率的射频（RF）磁控溅射技术，在石英衬底上生长了氧化锌（ZnO）薄膜，该技术将其功率从10 W调整到200W。发现溅射功率起着重要的作用。在电影的成长过程中。 检查了结晶度，吸收和光致发光（PL）的特征。 此外，还通过使用原子力显微镜（AFM）观察了膜的表面形态。 在生长过程中增加功率后，以150 W的RF功率沉积的薄膜显示出最佳的晶体质量和光学性能。 150 W的拐点是可检测的
磁控溅射法制备ZnO:Ga薄膜的结晶质量及其应力研究 (2015年)
浏览：81
以氧化锌(ZnO)掺杂氧化镓(Ga2O3)的陶瓷靶作为溅射靶材,采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了透明导电的掺镓氧化锌( ZnO:Ga)薄膜.通过X射线衍射仪测试研究了衬底温度对薄膜结晶性能及其残余应力的影响.研究结果...
源温度对基于CVD的ZnO:N薄膜性能影响
浏览：32
源温度对基于CVD的ZnO:N薄膜性能影响，毛飞燕，邓宏，利用化学气相沉积 (CVD) 法，以Zn4 (OH)2(O2CCH3)6•2H2O为源，NH3为掺杂气体,在不同源温度下沉积ZnO:N薄膜，研究了样品的结构、光学、电学
薄厚对GZO透明导电薄膜结构和光电性能的影响
浏览：126
薄厚对GZO透明导电薄膜结构和光电性能的影响，张传瑜，王绪本，本文主要是采用射频磁控溅射的方法在玻璃衬底上沉积掺镓氧化锌(GZO)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪（XRD）、紫外可见分光光度计、Hal
激光溅射沉积制备的ZnO:Ga薄膜表面形貌分析
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研究的薄膜是用激光脉冲沉积法(PLD)制备的ZnO:Ga(GZO)透明导电薄膜。由于GZO薄膜的生长是在远离平衡态情况下实现的，具备自仿射分形特征，可以用高度高度相关函数进行描述。通过对用原子力显微镜(AFM)获得的表面高度...
室温下溅射功率对射频溅射ZnO薄膜性能的影响
浏览：195
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沉积电位对ZnO薄膜结构及光电性能的影响 (2013年)
浏览：37
以硝酸锌溶液为电解液，采用电化学沉积方法，在导电玻璃(ITO)上制备ZnO薄膜．使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜对制备的ZnO薄膜结构和形貌进行表征，并研究薄膜的光电性能．结果表明，通过该方法制备的ZnO具有标准的六方纤锌矿纳米柱状结构，沉积电位为-0．75、-0．80、-0．85 V时，制备的ZnO纳米柱的直径分别为250、400、500 nm，禁带宽度分别为3．12、3．27、3．29 eV，
室温下溅射功率对射频溅射制备ZnO薄膜性能的影响
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溅射气压对Li-W共掺杂ZnO薄膜性能的影响
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溅射气压对Li-W共掺杂ZnO薄膜性能的影响
室温下射频磁控溅射制备ZnO:Al透明导电薄膜及其性能研究
浏览：167
结果表明:所制备的AZO薄膜具有(002)择优取向,并且发现薄膜厚度对薄膜的光电性能有明显影响,溅射气压和溅射功率对薄膜电学性能有较大影响,但是对薄膜透过率影响不大。当功率为1kW、溅射气压0.052Pa、AZO薄膜厚度为250...
衬底温度对反应溅射ZnO:Al导电薄膜性能的影响
浏览：10
本文用中频脉冲磁控溅射方法，采用锌铝合金（Al的含量为2%）靶，在衬底温度170℃，工作压力2.5mTorr,氧氩比3/18的条件下，制备了ZnO:Al薄膜，利用X射线衍射仪对薄膜的结构进行了分析，利用分光光度计和四探针法测量...
基础电子中的衬底温度对反应溅射ZnO:Al导电薄膜性能的影响
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本文用中频脉冲磁控溅射方法，采用锌铝合金（Al的含量为2%）靶，在衬底温度170℃，工作压力2.5mTorr,氧氩比3/18的条件下，制备了ZnO:Al薄膜，利用X射线衍射仪对薄膜的结构进行了分析，利用分光光度计和四探针法测量...
氮气退火对NiO/ZnO:A1薄膜PN结的影响* (2012年)
浏览：149
使用UV-1700型分光光度计、KEITHLEY4200-SCS半导体测试仪、JSM-6490LV型扫描电子显微镜等分析氮气退火对NiO/ZnO:A1薄膜性能的影响。实验结果表明：500℃退火范围内，NiO薄膜的透过率随退火温度的升高单调上升，500℃...
Zn靶与掺铝ZnO靶共溅射制备ZnO:Al薄膜及其性能 (2012年)
浏览：193
采 用Zn靶和ZnO(掺2% Al2O3(质量分数))陶瓷靶在玻璃衬底上共溅射沉积Al掺杂ZnO薄膜，即 ZnO:Al透明导电薄膜，研究Zn 靶溅射功率(0~90 W)和衬底温度(室温、100 ℃和200 ℃)对薄膜结构、形貌、光学和电学性能的影响。...
衬底曲率对Cu，Co共掺杂ZnO薄膜结构，光学性能的影响
浏览：169
衬底曲率对Cu，Co共掺杂ZnO薄膜结构，光学性能的影响
铝镧共掺ZnO透明导电薄膜的微观结构和光电性能研究
浏览：166
利用溶胶凝胶法制备了双掺杂ZnO(Al,La)透明导电薄膜，在还原气氛（N2和H2的体积比为VN2VH2=964）下退火。通过X射线衍射(XRD)、紫外可见分光光度仪、扫描电镜(SEM)和双电测四探针等仪器重点考察了ZnO(Al,La)薄膜的退火温度和Al掺杂量对薄膜微观结构、表面形貌、光学性能和电学性能的影响。结果表明，随退火温度的升高，薄膜的（002）晶面择优取向生长趋势增强，平均晶粒尺寸增大
沉积温度对ZnO薄膜结构和光学性能的影响 (2007年)
浏览：172
采用RF磁控溅射法，在单晶硅衬底上生长出高质量的(002)晶面取向的ZnO薄膜．利用X射线衍射分析(XRD)、原子力显微镜(AFM)、光栅光谱仪等技术研究了沉积温度对 Zn0薄膜的结构、应力状态、表面形貌和发光性能的影响．研究结果表明，在射频功率为100 W时所制备的ZnO薄膜当沉积温度为500℃时能获得最佳的C轴取向和最小半高宽，此时 Zn0薄膜具有较小的压应力和较好的紫外发光性．
基片温度对PLD方法制备的ZnO薄膜结构和性能的影响
浏览：97
基片温度对PLD方法制备的ZnO薄膜结构和性能的影响，陈亚，李小丽，采用脉冲激光沉积(PLD)方法在玻璃基片上沉积了ZnO半导体薄膜，详细研究了基片温度对ZnO薄膜的沉积速率，结晶取向，透过率、带隙、载�
退火对N-In共掺杂p型ZnO薄膜结构和光电性质的影响 (2008年)
浏览：47
利用射频磁控溅射结合离子注入的方法在石英玻璃衬底上成功地实现了 ZnO薄膜的 N-In共掺杂,借助于XRD、霍耳测试、透射谱测试等手段分析了不同退火条件下对 ZnO薄膜的结构及光电性质的影响。实验结果表明,在氮气环境下,退火温度介于550～600℃,退火时间控制在5～10 min内,可以获得较稳定的p型 ZnO薄膜。其中,经过580℃退火20 min的 ZnO薄膜具有最佳的电学特性,即空穴浓度达到
退火气氛对溶胶-凝胶法制备铝掺杂氧化锌薄膜光电性能的影响
浏览：199
为研究退火气氛对氧化锌(AZO)薄膜光电性能的影响,采用溶胶-凝胶法在石英基片上制备铝掺杂AZO薄膜。利用X射线衍射、场发射电子扫描显微镜对薄膜的物相结构和形貌进行表征;采用霍尔效应测试仪、紫外-可见-红外分光光度...
正交试验优化PLD法制备ZnO:Al薄膜
浏览：7
正交试验优化PLD法制备ZnO:Al薄膜，李乾坤，王金斌，本文用脉冲激光沉积法(Pulsed Laser Deposition, PLD)在载玻片上制备了ZnO:Al(AZO)透明导电氧化物薄膜。引入正交试验优化薄膜制备参数，通过极�
溶胶-凝胶法制备ZnO:Sn薄膜的微观结构及光电特性
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利用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上制备Sn掺杂ZnO薄膜(ZnO:Sn),研究了不同Sn掺杂量对薄膜结晶性、表面形貌和光电特性的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见光光度计(UV-VIS)和四探针测试仪对...
Al-N共掺杂ZnO：Mn稀磁半导体薄膜的结构与性能.pdf
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ZnO:Ga的制备及其在辐射探测上的应用研究现状
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ZnO:Ga的制备及其在辐射探测上的应用研究现状，温欣，张清民，ZnO作为一种宽带隙直接跃迁半导体材料，具有较好的闪烁性能和较强的抗辐射特性，但同时还存在着严重的自吸收问题。在掺杂Ga元素后�
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