NTMS4704NR2G的技术参数

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产品型号:NTMS4704NR2G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):9.500最大漏极电流Id(on)(A):12.300通道极性:N沟道封装/温度(℃):SOIC-8/-55 ~150描述:30 V, 12.3 A, 功率MOSFET价格/1片(套):￥4.50
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